Latch-up-Effekt
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Latch-Up-Effekt — Der Fachbegriff Latch Up (englisch Single Event Latch Up; abgekürzt SEL) bezeichnet in der Elektronik den Übergang eines Halbleiterbauelements, wie beispielsweise in einer CMOS Stufe, in einen niederohmigen Zustand, der zu einem elektrischen… … Deutsch Wikipedia
Latch-Up — Der Fachbegriff Latch Up (englisch Single Event Latch Up; abgekürzt SEL) bezeichnet in der Elektronik den Übergang eines Halbleiterbauelements, wie beispielsweise in einer CMOS Stufe, in einen niederohmigen Zustand, der zu einem elektrischen… … Deutsch Wikipedia
Latch up — Der Fachbegriff Latch Up (englisch Single Event Latch Up; abgekürzt SEL) bezeichnet in der Elektronik den Übergang eines Halbleiterbauelements, wie beispielsweise in einer CMOS Stufe, in einen niederohmigen Zustand, der zu einem elektrischen… … Deutsch Wikipedia
Latchup — Der Fachbegriff Latch Up (englisch Single Event Latch Up; abgekürzt SEL) bezeichnet in der Elektronik den Übergang eines Halbleiterbauelements, wie beispielsweise in einer CMOS Stufe, in einen niederohmigen Zustand, der zu einem elektrischen… … Deutsch Wikipedia
Single Event Latchup — Der Fachbegriff Latch Up (englisch Single Event Latch Up; abgekürzt SEL) bezeichnet in der Elektronik den Übergang eines Halbleiterbauelements, wie beispielsweise in einer CMOS Stufe, in einen niederohmigen Zustand, der zu einem elektrischen… … Deutsch Wikipedia
Bipolartransistor mit isolierter Gateelektrode — Schaltzeichen eines IGBT Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (engl. insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des… … Deutsch Wikipedia
Freiwerdezeit — Ein Thyristor ist ein Halbleiterbauelement, das aus vier oder mehr Halbleiterschichten wechselnder Dotierung aufgebaut ist. Die Bezeichnung Thyristor ist ein Kofferwort aus Thyratron und Resistor. Schaltzeichen eines Thyristors … Deutsch Wikipedia
IGBT — Schaltzeichen eines IGBT Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (engl. insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des… … Deutsch Wikipedia
Igbt — Schaltzeichen eines IGBT Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (engl. insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des… … Deutsch Wikipedia
Insulated Gate Bipolar Transistor — Schaltzeichen eines IGBT Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (engl. insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des… … Deutsch Wikipedia
USB-Speicher-Stick — mit Schlaufe und „unverlierbarer“ Schutzkappe USB Massenspeicher (engl. usb mass storage device) sind Geräte, die über den Universal Serial Bus (USB) kommunizieren und einen eingebauten Datenspeicher besitzen oder für Wechseldatenträger benutzt… … Deutsch Wikipedia
